三安光电CPSE安博会期间首推红外LED芯片

　　2测试情况

　　2.1测试项

　　2.3 衰减测试

　　测试环境

　　恒温恒湿老化试验系统

　　LED800 老化测试系统

　　测试方法

　　取三家LED芯片厂家各10pcs芯片，贴片加工成灯珠，进行为期30天的不间断老化拷机。

　　测试数据：

　　(1)功率(mW)测试

　　(2) 电压(V)测试

　　(3)漏电(μA)测试

　　(4)峰值波长(nm)测试

　　测试结论

　　在光衰减(功率mV)测试数据可以看出：三安光电芯片拷机前后数据差值较小，光衰减仅为4.06%，其他两组芯片光衰减分别为5.56%、9.91%;

　　电压、漏电、波长测试项目，三款芯片拷机前后参数无明显变化;

　　衰减测试结果显示，三安光电芯片长期使用光强损失最小，光衰减表现优秀;

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